Missão do Sistema SENAI

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     de informação e a adequação, geração e difusão de tecnologia.

Muitos aparelhos eletrônicos operam no regime de corrente contínua.  Para que seja possível alimentar tais aparelhos é necessário o emprego de circuitos capazes de transformar corrente alternada em corrente contínua.  Circuitos com essa capacidade são genericamente denominados de retificadores.

         Existem vários tipos de circuito retificador, dentre os quais o mais simples é o circuito retificador de meia onda, cujo princípio básico de operação será analisado neste fascículo.

         Embora o circuito retificador de meia onda tenha aplicações muito limitadas, a compreensão do seu funcionamento é indispensável para o estudo de circuitos mais sofisticados, como aqueles utilizados em televisores, rádios e outros equipamentos eletrônicos.

Retificação de meia onda

Retificação é o nome dado ao processo de transformação de corrente alternada (ca) em corrente contínua (cc). Esse processo é utilizado com a finalidade de permitir que equipamentos de corrente contínua sejam alimentados a partir da rede elétrica que é disponível apenas na forma de corrente alternada.

A retificação de meia onda é um processo de transformação de ca em cc, que permite o aproveitamento de apenas um semiciclo da tensão de alimentação da carga, conforme ilustrado na Fig.1

O circuito retificador de meia onda com diodo é empregado em equipamentos que, apesar de exigirem uma tensão de alimentação unipolar, não necessitam que a mesma permaneça constante como função do tempo como, por exemplo, nos carregadores de bateria.

RETIFICAÇÃO DE MEIA ONDA COM DIODO SEMICONDUTOR

As características de condução e bloqueio do diodo semicondutor podem ser utilizadas para obter uma retificação de meia onda a partir da corrente alternada da rede elétrica domiciliar. A configuração básica desse tipo de circuito é ilustrada na Fig.2 e o comportamento da tensão na carga em cada semiciclo da tensão de alimentação é descrito a seguir.

SEMICICLO POSITIVO

Com base na Fig.3, a tensão no ponto A é positiva com relação ao ponto B, durante o semiciclo positivo. Com esta polaridade da tensão de entrada, o diodo entra no regime de condução, permitindo portanto a circulação de corrente.

Nessas condições, a tensão na carga assume uma forma próxima àquela da tensão de entrada, como pode ser observado na Fig.3.

No entanto, um exame mais minucioso da operação daquele circuito durante o semiciclo positivo mostra que existe uma pequena diferença entre as duas formas de tensão, conforme pode-se observar na Fig.4.  Note-se que o diodo só entra efetivamente em condução a partir do instante de tempo em que a tensão de entrada supera o potencial de barreira V_B. A partir desse momento, a tensão no diodo mantém-se próxima ao valor V_B até o instante de tempo em que, após começar a decrescer, torna-se  menor do que o valor V_B.

Sob essas condições, existirão dois pequenos intervalos de tempo, um no início e outro no fim do semiciclo positivo, durante os quais a tensão na carga é nula. Fora desses intervalos, a tensão de entrada supera o valor V_B e a tensão na carga assume uma forma próxima à tensão de entrada.

Vale também notar, conforme pode ser observado na Fig.4, que o valor máximo da tensão na carga é menor que o valor máximo da tensão de entrada, por uma quantidade igual à queda de tensão sobre o diodo no regime de condução. Esse valor é da ordem de 0,7 V para o diodo de silício. Em situações em que a condição  V_máx >> V_B  é satisfeita, a diferença entre as duas formas de tensão se torna desprezível durante o semiciclo positivo.

SEMICICLO NEGATIVO

Durante o semiciclo negativo o potencial no ponto A se torna negativo em relação ao ponto B. Com essa polaridade na entrada, o diodo entra em bloqueio comportando-se efetivamente como uma chave aberta, impedindo a circulação de corrente, conforme ilustrado na Fig.5.

A condição de corrente nula no circuito implica que toda a tensão de entrada é transferida para o diodo, com a tensão na carga mantendo-se nula, conforme ilustrado na Fig.6.

Conclui-se, portanto, que para cada ciclo completo de tensão de entrada, apenas o semiciclo  positivo é transferido diretamente para a carga, estando o semiciclo negativo aplicado diretamente entre os terminais do diodo.

A forma de tensão resultante sobre a carga é denominada de tensão contínua pulsante. Esta denominação advém do fato de o fluxo de corrente no circuito se dar em um único sentido e na forma de pulsos separados por intervalos de tempo nos quais a corrente no circuito é nula. 

Se a posição do diodo for invertida, conforme ilustrado na Fig.7, a tensão na carga simplesmente muda de sinal conforme ilustrado na Fig.8.

MEDIÇÃO DA TENSÃO NA CARGA

No circuito retificador de meia onda, a tensão de saída que é medida na carga é pulsada. Para medir essa tensão de saída, utiliza-se um multímetro ou um voltímetro de cc com as pontas de prova conectadas aos terminais da carga.

O voltímetro cc ou multímetro em escala de tensão cc, conectado à saída do circuito retificador, sempre indica um valor médio para a tensão contínua pulsante sobre a carga.

 Na retificação de meia onda alternam-se os períodos de existência e inexistência de tensão sobre a carga. Conseqüentemente, o valor medido de tensão cc média sobre a carga é muito inferior ao valor efetivo ca que seria medido na entrada do circuito, conforme ilustrado na Fig.9.

Quando  o  valor  efetivo da tensão de entrada for muito superior ao valor V_B , este pode ser desprezado na Eq.(1) para o cálculo de V_cc . Com essa aproximação, a Eq.(1) assume a forma  simplificada

   

Com valores típicos de 0,7 e 0,3V para os potenciais de barreira do silício e do germânio, respectivamente, a expressão aproximada dada pela Eq.(4) pode ser utilizada na prática quando a condição V_ca  > 10V, for satisfeita.

A seguir é apresentado um exemplo de cálculo empregando as expressões exata e aproximada.

Exemplo 1: Para o circuito retificador com diodo de silício ilustrado na Fig.10, determinar V_cc com o uso das Eqs.(1) e (3) nos seguintes casos:  (a) V_ca = 6 V ; (b) V_ca = 50 V.

Nota-se que o erro da aproximação neste caso fica em torno de 10% do valor exato.

b)   Com V_ca = 50 V e V_B = 0,7 V, e repetindo-se o procedimento adotado no item (a), obtém-se : 

Cálculo exato:                            V_cc  = 22,30 V

Cálculo aproximado:                  V_cc  = 22,52 V

         No presente caso  V_ca >> V_B  e o erro relativo da aproximação cai para 1% do valor exato.

         Como a dependência temporal da corrente na carga é uma réplica daquela correspondente à tensão ilustrada na Fig.9, conclui-se que a corrente média no resistor R  pode ser determinada simplesmente pela expressão.

Icc = Vcc / R

INCONVENIENTES DA RETIFICAÇÃO DE MEIA ONDA

A retificação de meia onda apresenta alguns inconvenientes decorrentes do princípio de funcionamento, conforme sumarizado a seguir.

Variação na tensão de saída

A tensão de saída é pulsante, variando, portanto, de forma significativa e diferindo sensivelmente de uma tensão contínua pura, conforme ilustrado na Fig.11.

Baixo rendimento

 O rendimento, definido pelo percentual da tensão contínua na saída relativo a uma dada tensão ca de entrada, é de apenas 45%.

Sub utilização da capacidade do transformador

Nas retificações empregando um transformador na entrada, existe um mau aproveitamento da capacidade de transformação pois a corrente circula em apenas um semiciclo.

FONTE DE ALIMENTAÇÃO DE MEIA ONDA

O circuito retificador de meia onda pode ser utilizado como fonte de alimentação para um circuito eletrônico. Para que se tenha uma fonte de alimentação completa, devem-se acrescentar ao circuito retificador os seguintes componentes:

·        Uma chave liga-desliga.

·        Um fusível de proteção.

·        Uma chave seletora 110/220V.

O diagrama de circuito de uma fonte de alimentação utilizando esses componentes básicos é ilustrado na Fig.12, onde se pode observar a possibilidade de operação tanto em 220 quanto em  110 V na entrada. 

A Fig.13 mostra como poderia ser feita a interconexão dos componentes básicos utilizados no diagrama da Fig.12.

Fig.13 Interconexão dos componentes em uma fonte de alimentação empregando retificação de meia onda.

O circuito mostrado na Fig.12 pode ser dividido em quatro partes ou etapas distintas, conforme pode ser visto na Fig.14:

ETAPA 1: entrada.

ETAPA 2: controle e proteção.

ETAPA 3: transformação da tensão.

ETAPA 4: retificação.

Quando uma fonte retificadora de meia onda apresenta defeito, deve-se executar uma seqüência de medidas que permitam localizar a porção ou etapa do circuito com problema para que se possa isolar o componente defeituoso.

Geralmente o defeito é constatado ao se realizar uma medida nos terminais de saída do circuito. Essa medida pode fornecer duas possibilidades de resposta:

a) Existindo tensão ca na saída, pode-se imediatamente concluir que as porções ou etapas 1, 2 e 3 não apresentam problemas. O defeito provável é um curto no diodo.

b)   Não existindo tensão na saída, existem muitas hipóteses para o defeito. Deve-se, então, realizar o teste por etapas, como listado na Tabela 1.

Tabela 1 Seqüência de testes para diagnóstico de defeitos no circuito da Fig.14.

Testar se há tensão na saída da ETAPA 3 (secundário do transformador). Sim:       Defeito ocorrido na ETAPA 4 e o diodo está provavelmente em                           aberto.          Não:       Defeito ocorrido em alguma porção entre as ETAPAS 1 e 3

Testar se há tensão na entrada da ETAPA 3 (primário do transformador). Sim :                Defeito ocorrido na ETAPA 3 (transformador). Testar conti-                 nuidade das bobinas do transformador com um ohmímetro.          Não:       Defeito ocorrido nas ETAPAS 1 ou 2.

Testar se há tensão na entrada da ETAPA 1.          Sim:       Defeito na ETAPA 2 (controle e proteção). Testar componentes                           e  conexões  na  ETAPA  2.   Caso  o  fusível  esteja  rompido,                           descobrir a causa antes de substituir.          Não:       Testar cabo, plugue e verificar se há energia na tomada onde a                           fonte está sendo conectada.

Observação:  Se o defeito for fusível rompido, verificar as causas do rompimento antes de realizar a substituição (diodo em curto, curto entre ligações, saída em curto). O rompimento do fusível também pode ser causado pelo funcionamento anormal do circuito alimentado pela fonte.

 O procedimento descrito na Tabela 1 pode ser organizado na forma de um fluxograma de execução dos testes para diagnóstico do defeito. O fluxograma correspondente está mostrado na Fig.15.

A técnica de retificação de meia onda é utilizada quando a carga não necessita ser alimentada por uma cc pura. Um exemplo típico de aplicação dessa técnica ocorre no caso dos carregadores de bateria. Nestes dispositivos requer-se que a corrente de alimentação seja unidirecional, não importando muito a sua forma como função do tempo.

Fig.15 Fluxograma auxiliar para o diagnóstico de defeitos em um circuito retificador de meia onda.

Materiais semicondutores - 2º Parte

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APLICAÇÃO DE TENSÃO SOBRE O DIODO

A aplicação de tensão sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. A tensão pode ser aplicada ao diodo pela polarização direta ou pela polarização inversa do componente, conforme examinado a seguir.

POLARIZAÇÃO DIRETA

Polarização direta é uma condição que ocorre quando o lado p é submetido a um potencial positivo relativo ao lado n do diodo, conforme ilustrado na Fig. 17.
Nessa situação, o pólo positivo da fonte repele as lacunas do material p em direção ao pólo negativo, enquanto os elétrons livres do lado n são repelidos do pólo negativo em direção ao pólo positivo.

Na situação ilustrada na Fig.18, o valor da tensão aplicada ao diodo é inferior ao valor VB da barreira de potencial. Nessa condição, a maior parte dos elétrons e lacunas não têm energia suficiente para atravessar a junção . 

Como resultado, apenas alguns elétrons e lacunas têm energia suficiente para penetrar a barreira de potencial, produzindo uma pequena corrente elétrica através do diodo

Se a tensão aplicada aos terminais do diodo excede o valor da barreira de potencial, lacunas do lado p e elétrons do lado n adquirem energia superior àquela necessária para superar a barreira de potencial, produzindo como resultado um grande aumento da corrente elétrica através do diodo, como mostrado na Fig. 19.
Quando o diodo está polarizado diretamente, conduzindo corrente elétrica sob a condição V > VB, diz-se que o diodo está em condução.

Um diodo está em condução quando polarizado diretamente sob a condição V > VB

POLARIZAÇÃO INVERSA

A polarização inversa de um diodo ocorre quando o lado n fica submetido a um potencial positivo relativo ao lado p do componente, como mostrado na Fig.20.

Nessa situação, os pólos da fonte externa atraem os portadores livres majoritários em cada lado da junção; ou seja, elétrons do lado n e lacunas do lado p são afastados das proximidades da junção, conforme ilustrado na Fig.21.

Com o afastamento dos portadores majoritários, aumenta não só, a extensão da região de cargas descobertas, como também o valor da barreira de potencial através da junção.
Com o aumento da barreira de potencial, torna-se mais difícil o fluxo, através da junção, de elétrons injetados pela fonte no lado p e de lacunas no lado n. Como resultado, a corrente através do diodo tende praticamente a um valor nulo.
Quando o diodo está sob polarização inversa, impedindo o fluxo de corrente através de seus terminais, diz-se que o diodo está em bloqueio ou na condição de corte.

Um diodo inversamente polarizado bloqueia o fluxo de corrente elétrica.

CARACTERÍSTICA ELÉTRICA DO DIODO SEMICONDUTOR

         É sempre conveniente modelar um determinado componente eletrônico através de seu circuito equivalente. O circuito equivalente é uma ferramenta largamente utilizada em eletrônica para representar um componente com características não comuns, por um circuito consistindo de componentes mais simples, tais como interruptores, resistores, capacitores etc.

         No caso do diodo semicondutor, o circuito equivalente se torna bastante simplificado quando o diodo é considerado ideal, conforme descrito a seguir. 

O DIODO SEMICONDUTOR IDEAL

         Por diodo ideal entende-se um dispositivo que apresenta características ideais de condução e bloqueio.

         Um diodo ideal, polarizado diretamente, deve conduzir corrente elétrica sem apresentar resistência, comportando-se como um interruptor fechado, como ilustrado na segunda linha da Tabela 1. O interruptor fechado é, portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal em condução.

                              

         Polarizado inversamente, o diodo semicondutor ideal deve comportar-se como um isolante perfeito, impedindo completamente o fluxo de corrente. O interruptor aberto ilustrado na terceira linha da Tabela 1 é, portanto, o circuito equivalente para o diodo ideal na condição de corte.

         Em resumo, o diodo ideal comporta-se como um interruptor, cujo estado é controlado pela tensão aplicada aos seus terminais.

Tabela 1 Circuitos equivalentes para o diodo ideal.

MODELO SEMI-IDEAL DO DIODO SEMICONDUTOR

         O diodo ideal é um modelo simplificado do diodo real, pois naquele modelo alguns parâmetros relacionados à fabricação e às propriedades de materiais semicondutores são desprezados. Modelos mais realísticos do diodo operando em condução ou em bloqueio são descritos a seguir.

Diodo em condução

         Com respeito às características de condução do diodo semicondutor, deve-se levar em conta que o diodo entra em condução efetiva apenas a partir do momento em que a tensão da fonte externa atinge um valor ligeiramente superior  ao valor V_B da barreira de potencial.

         Deve-se também considerar a existência de uma resistência elétrica através da junção quando o diodo está sob polarização direta. Essa resistência existe em qualquer semicondutor, devido a colisões dos portadores com a rede cristalina do material.  O valor da resistência interna dos diodos em estado de condução é normalmente inferior a 1W.

         Assim, um modelo mais aprimorado para o circuito equivalente do diodo em condução pode ser obtido pela associação série de um resistor Rc, representativo da resistência direta de condução, com uma fonte de tensão VB correspondente ao valor da barreira de potencial na junção, como mostrado na Fig.22.

Em situações em que o diodo é utilizado em série com componentes que exibem resistências muito superiores à sua resistência de condução, esta pode ser desprezada e o diodo pode ser considerado como ideal, sem que se incorra em um erro significativo.

         No circuito da Fig.23, por exemplo, o valor da resistência externa é 1.500 vezes superior à resistência de condução do diodo, e o erro relativo cometido no cálculo da corrente do circuito ao se considerar o diodo como ideal é de apenas 1,5%.

Diodo em bloqueio

Efeitos associados à temperatura e a absorção de fótons nas proximidades da junção de um diodo, possibilitam a geração de uma pequena quantidade de portadores minoritários, ou mais precisamente, lacunas no lado n e elétrons livres no lado p. Conseqüentemente, sempre existe uma corrente de fuga, quando o diodo é inversamente polarizado, correspondendo à passagem de portadores minoritários através da junção.  Essa corrente de fuga é geralmente da ordem de alguns microampères, o que indica que a resistência da junção inversamente polarizada pode chegar a vários megahoms.

O diodo em bloqueio pode, portanto, ser modelado a partir do circuito equivalente mostrado na Fig.24.

CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

O comportamento de qualquer componente eletrônico pode ser expresso através de uma curva característica ou curva VI que representa a relação entre tensão e corrente através dos terminais do componente. Dessa forma, para cada valor da tensão aplicada, pode-se, a partir dos dados da curva característica, obter o valor da corrente que flui no dispositivo e vice-versa.  A curva característica do diodo serve para determinar seu comportamento real qualquer que seja o seu estado de polarização, conforme examinado a seguir.

Região de condução

Durante a condução, uma corrente Id flui através do diodo, conforme ilustrado na Fig.25. A medida que aumenta a corrente injetada Id, a queda de tensão Vd , observada através dos terminais do diodo, aumenta muito pouco em relação ao valor VB, como conseqüência do baixíssimo valor da resistência de condução do diodo.

Uma representação gráfica dessa relação tensão´corrente para o caso do diodo de silício é mostrada na Fig.26. Nessa representação, a curva característica do diodo é obtida simplesmente pela união de todos os pontos representativos dos pares de valores possíveis de corrente Id e tensão Vd, através do diodo no regime de condução.

A obtenção do valor de tensão V0 que corresponde a um dado valor de corrente I0, é feita conforme ilustrado na Fig.27. Deve-se traçar inicialmente uma linha horizontal a partir do ponto sobre o eixo vertical correspondente ao valor I0. Essa linha intercepta a curva no ponto P indicado na Fig.27. Traçando-se a partir de P uma linha vertical, obtém-se a interseção com o eixo horizontal no ponto V0 que é o valor desejado da queda de tensão nos terminais do diodo.

Através da curva verifica-se também que, enquanto a tensão sobre o diodo não ultrapassa um valor limite, que corresponde ao potencial da barreira VB, a corrente através do diodo permanece muito pequena. Essa condição está indicada na Fig.28, para um tipo de diodo de silício, onde Id < 6 mA para Vd < 0,7 V. A partir do valor limite VB = 0,7 V, a corrente através do diodo pode aumentar substancialmente sem que isso cause um aumento significativo na queda de tensão através do diodo. Verifica-se, portanto, que na faixa de valores Vd > 0,7 V, o diodo comporta-se praticamente como um resistor de baixíssima resistência.

Fig.28 Curva característica para um tipo comum de diodo de silício.

Região de bloqueio

Como discutido anteriormente, existe uma corrente de fuga quando o diodo é inversamente polarizado. Essa corrente de fuga aumenta gradativamente com o aumento da tensão inversa nos terminais do diodo. Esse comportamento pode ser observado na região de tensões e correntes negativas do gráfico da curva característica mostrado na Fig.29. Note-se que, para este tipo de diodo de silício, a corrente de fuga satura no valor de 1 microampère negativo.

Como em polarização direta a corrente é tipicamente mais de 1.000 vezes superior ao valor da corrente de polarização inversa, a representação das duas regiões de operação em um mesmo gráfico é geralmente feita utilizando-se a escala de mA na região de tensões positivas, e a escala de mA na região de tensões negativas. Essa forma de representação está ilustrada na Fig.30, para um tipo comum de diodo de silício, onde se pode visualizar detalhadamente o comportamento da curva característica em ambos os regimes de operação.

Fig.30 Curva característica de um diodo de silício com escala vertical dupla para detalhar os regimes de polarização direta e inversa.

LIMITES DE OPERAÇÃO DO DIODO

Os limites de operação do diodo em cc estabelecem os valores máximos de tensão e corrente que podem ser aplicados ao componente em circuitos de corrente contínua, sem provocar danos a sua estrutura.
Analisando o comportamento do diodo no regime de condução, verifica-se que a corrente de condução é o fator diretamente influenciado pelo circuito de alimentação do diodo. A queda de tensão nos terminais do diodo no regime de condução é praticamente independente do circuito, mantendo-se em um valor próximo ao valor do potencial da barreira do dispositivo, ou seja, 0,7 V para o silício e 0,3 V para o germânio.

No regime de polarização inversa, a tensão através do diodo é o parâmetro diretamente influenciado pelo circuito de alimentação. A corrente de fuga não é muito influenciada pelo circuito externo pois depende apenas das propriedades materiais do diodo.

Dessa forma, os limites de operação do diodo são definidos pela corrente de condução máxima e tensão inversa máxima descritas a seguir.

Corrente de condução máxima

A corrente máxima de condução de um diodo é fornecida pelo fabricante em um folheto de especificações técnicas. Nesses folhetos, a corrente máxima de condução aparece designada pela sigla IF, com a abreviação F simbolizando a palavra inglesa forward que significa para a frente, direto(a) etc. Na Tabela 2 são especificados valores de IF para dois tipos comerciais de diodos.

Tabela 2 Valores de I_F para dois diodos.

TIPO	IF
SKE 1/12	1,0 A
1n4004	1,0 A

Tensão inversa máxima

Sob polarização inversa, o diodo opera no regime de bloqueio. Nessa condição, praticamente toda tensão externamente aplicada atua diretamente entre os terminais do diodo, conforme ilustrado na Fig.31.

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor máximo da tensão inversa. A aplicação de um valor de tensão inversa superior àquele especificado pelo fabricante, provoca um aumento significativo da corrente de fuga suficiente para danificar o componente.
Os fabricantes de diodos fornecem nos folhetos de especificação o valor da tensão inversa máxima que o diodo suporta sem sofrer ruptura. Esse valor é designado por VR. Na Tabela 3 estão listadas as especificações de alguns diodos comerciais com os respectivos valores do parâmetro VR.

Tabela 3 Especificações de diodos e tensões inversas máximas correspondentes.

TIPO	VR
1N4001	50 V
BY127	800 V
BYX13	50 V
SKE1/12	1.200 V

TESTE DE DIODOS SEMICONDUTORES

As condições de funcionamento de um diodo podem ser verificadas pela medição da resistência através de um multímetro.

Os testes realizados para determinar as condições de um diodo resumem-se a uma verificação da resistência do componente nos sentidos de condução e bloqueio, utilizando a tensão fornecida pelas baterias do ohmímetro. Entretanto, existe um aspecto importante com relação ao multímetro que deve ser considerado ao se testarem componentes semicondutores:

Existem alguns multímetros que, quando usados como ohmímetros, têm polaridade real invertida com relação à polaridade indicada pelas cores das pontas de prova.

Isso implica que, para estes multímetros:

Ponta de prova preta      ==>    Terminal positivo
Ponta de prova vermelha ==> Terminal negativo

Para realizar o teste com segurança deve-se utilizar um multímetro cuja polaridade real das pontas de prova seja conhecida ou consultar o esquema do multímetro para determinar as polaridades reais.

EXECUÇÃO DO TESTE

Para determinar se o diodo está defeituoso, não é necessário identificar os terminais do ânodo e do cátodo. Basta apenas conectar as pontas de prova do multímetro aos terminais do diodo e alterná-las para verificar o comportamento do diodo quanto às duas polaridades possíveis.

A seguir são descritos possíveis testes de diodos que podem ser realizados com o multímetro:


Diodo em boas condições: O ohmímetro deve indicar baixa resistência para um sentido de polarização e alta resistência ao se inverterem as pontas de prova nos terminais do diodo, conforme ilustrado na Fig.32.
Diodo em curto: Se as duas leituras indicarem baixa resistência, o diodo está em curto, conduzindo corrente elétrica nos dois sentidos.
Diodo aberto (interrompido eletricamente): Se as duas leituras indicarem alta resistência o diodo está em aberto, bloqueando a passagem de corrente elétrica nos dois sentidos.

Identificação do ânodo e cátodo de um diodo: Em muitas ocasiões, a barra de identificação do cátodo no corpo de um diodo pode estar apagada. Nessas situações, os terminais do diodo poderão ser identificados com auxílio do multímetro. O diodo exibe baixa resistência quando a ponta de prova com a polaridade real positiva é conectada ao ânodo. Basta, portanto, testar o diodo conectando-se as pontas de prova nas duas posições possíveis. Quando o multímetro indicar baixa resistência, o seu ânodo estará conectado à ponta de prova com polaridade real positiva.